Przełączanie rezystywne w nieorganicznych materiałach 2D

O projekcie

Przełączanie rezystywne w nieorganicznych materiałach 2D – badanie nanoskalowych mechanizmów kluczowych dla efektywnego zapisu informacji i pracy systemów neuromorficznych

Niniejsze badania są wspierane przez Narodowe Centrum Nauki w ramach projektu 2020/38/E/ST3/00293.

Celem projektu jest zbadanie fizycznych mechanizmów w skali nanometrycznej, które są odpowiedzialne za występowanie zjawiska przełączania rezystywnego (RS) w materiałach dwuwymiarowych (2D). Przełączanie rezystywne umożliwia trwałą, a jednocześnie odwracalną zmianę rezystancji materiału w wyniku stymulacji elektrycznej. Pozwala to na nieulotne przechowywanie informacji (różne stany rezystancji odpowiadają różnym bitom) oraz tworzenie sztucznych synaps (przepływ sygnału/prądu zależy od wagi/rezystancji połączenia synaptycznego, a jednocześnie może modyfikować jego wagę). W ostatnich latach wykazano, że pamięci oparte na RS (ReRAM) mogą zastąpić obecnie stosowane technologie (przynajmniej w niektórych zastosowaniach), ponieważ przewyższają je pod względem szybkości, trwałości i efektywności energetycznej. Z kolei synapsy oparte na RS mogą naśladować nawet bardzo złożone funkcje ich biologicznych odpowiedników i umożliwić rozwój systemów neuromorficznych (odwzorowujących działanie ludzkiego mózgu). Przetwarzanie obliczeń bezpośrednio w pamięci pozwoliłoby systemom neuromorficznym przezwyciężyć największe ograniczenie obecnie stosowanych architektur opartych na modelu von Neumanna, czyli konieczność transferu danych między pamięcią a procesorem.

Materiały 2D są szczególnie atrakcyjne dla zastosowań RS, ponieważ umożliwiają ekstremalnie wysoką gęstość upakowania urządzeń przy jednoczesnym dobrym odprowadzaniu ciepła. Dodatkowo, ze względu na ograniczenie wiązań chemicznych w tych materiałach tylko do jednej płaszczyzny, charakteryzują się one wysoką stabilnością chemiczną i termiczną.

Udowodniono, że RS w materiałach 2D może być efektywne i spełniać wymagania aplikacyjne, szczególnie w takich materiałach jak dichalkogenki metali przejściowych czy hBN. Wykazano, że w większości przypadków proces RS jest związany z wprowadzaniem defektów do struktury warstwy 2D. Jednak większość dostępnych danych i analiz RS opiera się na globalnych pomiarach elektrycznych, które jedynie w ograniczonym stopniu pozwalają określić rzeczywisty charakter mechanizmów odpowiedzialnych za RS oraz jego efektywność w potencjalnych zastosowaniach. Kluczowe mechanizmy zachodzą na poziomie atomowym i są najprawdopodobniej związane z wprowadzaniem, migracją i aglomeracją defektów krystalograficznych, które lokalnie zmieniają wartość rezystancji. W większości przypadków dokładny przebieg tych zjawisk nie jest znany, a wypełnienie tej luki jest celem niniejszego projektu.

Projekt koncentruje się na badaniach eksperymentalnych w tej samej skali, w której faktycznie zachodzą istotne mechanizmy, czyli z nanometrową rozdzielczością. Zamiast najczęściej stosowanego podejścia, w którym do badania RS używa się globalnej elektrody o rozmiarze mikrometrowym, w tym projekcie zostanie zastosowana sonda mikroskopu sił atomowych jako ruchoma elektroda. To podejście nie jest powszechnie stosowane w przypadku RS w materiałach 2D, ale pozwala na przeprowadzanie procesów RS lokalnie (punktowe pobudzenie elektryczne), a następnie na charakterystykę elektryczną i morfologiczną wprowadzonych zmian (związanych z przełączaniem rezystancji na dany poziom).

Wykorzystanie mikroskopu sił atomowych do analizy RS w skali nanometrowej, w połączeniu z badaniem lokalnej struktury elektronowej powstałych kanałów przewodzących oraz obliczeniami teoretycznymi, pozwoli na określenie zjawisk i mechanizmów determinujących przebieg RS. W szczególności, zastosowane podejście badawcze odpowie na następujące pytania:

  • czy i na jakiej podstawie możliwe jest osiągnięcie wielopoziomowego RS w pojedynczych warstwach 2D (co jest kluczowe dla zastosowań neuromorficznych), jeśli RS opiera się na wprowadzaniu defektów typu wakancyjnego,
  • jaka jest minimalna odległość między dwoma obszarami RS, przy której defekty nie oddziałują wzajemnie ani nie nakładają się wprowadzone przez nie stany elektronowe (co definiuje maksymalne upakowanie (integrację) przyszłych urządzeń),
  • jaka jest rzeczywista stabilność (w tym podatność na migrację) defektów w skali nanometrowej odpowiedzialnych za RS (co określa fizyczne ograniczenia trwałości i precyzji przechowywania danych lub działania synaps).

Zespół

dr hab. Maciej Rogala, prof. UŁ - kierownik projektu
Absolwent Międzywydziałowych Studiów Matematyczno-Przyrodniczych UŁ, w trakcie studiów doktoranckich zatrudniony w Peter Grünberg Institute (Juelich, Niemcy) w grupie specjalizującej się w badaniu nowych materiałów na potrzeby nieulotnego zapisu danych. Od 2012 zatrudniony w UŁ w Katedrze Fizyki Ciała Stałego. Wykonawca projektów badawczych z zakresu nowych materiałów na potrzeby nowoczesnej elektroniki (w tym projektów wdrożeniowych w obszarze elastycznej elektroniki drukowanej) oraz kierownik projektów badawczych w zakresie zjawiska przełączania rezystywnego w zastosowaniu do układów pamięciowych i neuromorficznych.

mgr inż. Rafał Dunal - wykonawca
Absolwent inżynierii biomedycznej (specajlność elektronika medyczna i tekstronika) i nanotechnologii na PŁ. W ramach doktoratu (Szkoła Doktorska Nauk Ścisłych i Przyrodniczych UŁ) prowadzi badania nad przełączaniem rezystywnym w dichalkogenkach metali przejściowych.

mgr inż. Aleksanra Nadolska - wykonawczyni
Absolwentka inżynierii materiałowej (specjalność inżynieria powierzchni) na AGH. Aktualnie doktorantka w Szkole Doktorskiej Nauk Ścisłych i Przyrodniczych UŁ. Zajmuje się badaniami nad nanoskalowym opisem zjawiska przełączania rezystywnego w układach bazujących na tlenkach metali przejściowych.

mgr inż. Krzysztof Mielczarek - wykonawca
Student fizyki na Wydziale Fizyki i Informatyki Stosowanej UŁ. W ramach pracy magisterskiej rozwijał metody wytwarzania materiałów funkcjonalnych na potrzeby projektu oraz elektrod dedykowanych do przełączania rezystywnego.

dr Paweł Dąbrowski - wykonawca
Specjalista w pomiarach i teoretycznych symulacjach struktury krystalograficznej i elektronowej nanomateriałów. W projekcie wspiera realizację i interpretację badań eksperymentalnych i teoretycznych.

dr Iaroslav Lutsyk - wykonawca
Specjalista w obszarze syntezy i charakteryzacji materiałów dwuwymiarowych i ich struktur. W projekcie wspiera realizację badań eksperymentalnych nad nowymi materiałami do przełączania rezystywnego.

Publikacje

  • Unraveling the Mechanism of the 150-Fold Photocurrent Enhancement in Plasma-Treated 2D TMDs
    Czerniak-Łosiewicz K. et al., ACS Applied Materials & Interfaces, 2022, vol. 14, nr 29, s.3984-3992
  • Two-Dimensional Crystals as a Buffer Layer for High Work Function Applications: the Case of Monolayer MoO3
    Kowalczyk D. A. et al., ACS Applied Materials & Interfaces, 2022, vol. 14, nr 39, s.44506-44515
  • Electrostimulation and nanomanipulation of two-dimensional MoO3-x layers grown on graphite
    Nadolska A. et al., Crystals, 2023, vol. 13, nr 6, s.1-11, nr artykułu:905

Aktualności

UNCOMP

Prezentacja wyników na konferencji UNCOMP 2025

Informujemy, że wyniki naszego zespołu zostały zaprezentowane podczas ogólnopolskiej konferencji Symposium on Physics and Chemistry for Unconventional Computing (UNCOMP), która odbyła się w dniach…

13 czerwca 2025 |Aktualności
Kategoria: Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej
top100

Doktorantka naszego zespołu w gronie stu najbardziej wpływowych kobiet w inżynierii w Polsce

Z radością informujemy, że mgr inż. Aleksandra Nadolska, doktorantka Uniwersytetu Łódzkiego i członkini naszego zespołu badawczego, została wyróżniona w prestiżowym zestawieniu „Top 100 Kobiet w…

05 maja 2025 |Aktualności
Kategoria: Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej
TE

Nasze badania w Teleexpresie Extra!

Z przyjemnością informujemy, że temat systemów neuromorficznych oraz badań prowadzonych w ramach naszego Projektu został zaprezentowany w programie Teleexpress Extra na antenie TVP! W materiale…

24 listopada 2024 |Aktualności
Kategoria: Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej
GW24

Prezentacja badań podczas Graphene Week 2024

Aleksandra Nadolska doktorankta Uniwersytetu Łódzkiego i wykonawczyni w projekcie zaprezentowała badania nad nanoskalowymi właściwościami monowarstwy MoO₃ podczas prestiżowej konferencji Graphene Week…

20 października 2024 |Aktualności
Kategoria: Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej
TS

Sztuczne synapsy, neuromorficzne pamięci i nagroda dla naszej badaczki

Z przyjemnością informujemy, że mgr inż. Aleksandra Nadolska, doktorantka Szkoły Doktorskiej Nauk Ścisłych i Przyrodniczych UŁ oraz członkini naszego zespołu badawczego, zdobyła I miejsce w Konkursie…

14 maja 2024 |Aktualności
Kategoria: Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej
TVP3LN

Zespół Projektu w programie „Łódzka Nauka” na antenie TVP Łódź

Z przyjemnością informujemy, że w programie „Łódzka Nauka” emitowanym na antenie TVP Łódź ukazał się materiał poświęcony naszej pracy badawczej. Ekipa telewizyjna odwiedziła nasze laboratoria, gdzie…

10 kwietnia 2024 |Aktualności
Kategoria: Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej
CSI 2024

Prezentacja badań nad przełączaniem rezystywnym na CSI 2024

Podczas tegorocznej edycji międzynarodowej konferencji Cluster-Surface Interaction Meeting (CSI 2024), która odbyła się w Bernried koło Monachium, zaprezentowane zostały wyniki badań naszego zespołu…

07 kwietnia 2024 |Aktualności
Kategoria: Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej
Obiecana Cafe

Spotkanie z cyklu „Obiecane inspiracje” w Obiecana Café

W czwartek, 29 czerwca, w łódzkiej Obiecana Café odbyło się kolejne spotkanie z cyklu „Obiecane inspiracje”. Gościem wydarzenia był dr Maciej Rogala – fizyk doświadczalny, nanotechnolog, kierownik i…

29 czerwca 2023 |Aktualności
Kategoria: Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej
STSM

Grant STSM COST na badania przełączania rezystywnego w TU Darmstadt

Miło nam poinformować, że Aleksandra Nadolska zdobyła grant w ramach Short Term Scientific Mission (STSM) programu OPERA COST Action.W ramach grantu realizowała badania w Technische Universität…

12 października 2022 |Aktualności
Kategoria: Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej

Wydział Fizyki
i Informatyki Stosowanej

ul. Pomorska 149/153
90-236 Łódź

tel: 42/635 57 42
fax: 42/635 57 42

Funduszepleu
Projekt Multiportalu UŁ współfinansowany z funduszy Unii Europejskiej w ramach konkursu NCBR